semiconductors : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

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	Anmerkung: Unternummer 3A001a1c gilt nicht für Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen). [EU]	Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
	Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird ein endgültiger Ausgleichszoll eingeführt. [EU]	A definitive countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc., originating in the Republic of Korea.
	Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen für Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind" [EU]	Lead in PZT based dielectric ceramic materials for capacitors being part of integrated circuits or discrete semiconductors'
	Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen für Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind [EU]	Lead in PZT based dielectric ceramic materials for capacitors which are part of integrated circuits or discrete semiconductors
	Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen in Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind [EU]	Lead in PZT based dielectric ceramic materials of capacitors being part of integrated circuits or discrete semiconductors 10(c).
	Der mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 eingeführte Ausgleichszoll auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten, Varianten, Zugriffsgeschwindigkeiten, Konfigurationen, Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird mit Wirkung vom 31. Dezember 2007 aufgehoben, und das Verfahren wird eingestellt. [EU]	The countervailing duty imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea imposed by Regulation (EC) No 1480/2003 is repealed as of 31 December 2007 and the proceeding is terminated.
	Die Finanzkrise wird es dem Unternehmen erheblich erschweren, sich wieder zu erholen, denn der DRAM-Sektor ist der wohl kapitalintensivste Sektor in der Halbleiterindustrie, da kontinuierlich in die technologischen Prozesse investiert werden muss, um sie auf dem neusten Stand zu halten". [EU]	In our view, it is unlikely that the Korean Government would be willing to give up on the company yet ....We believe (Hynix's) financial crisis will continue to carry a heavy burden on its ability to recover, as the DRAM sector is perhaps the most capital-intensive sector within semiconductors, with a constant requirement to upgrade technology processes' [45].
	Die Halbleiter sind Teil der elektronischen Bauelemente. [EU]	Semiconductors belong to the family of electronic components.
	Die Niederlande haben am 26. März 2010 einen Antrag auf Inanspruchnahme des EGF gestellt wegen Entlassungen in dem Unternehmen NXP Semiconductors Netherlands BV und diesen Antrag bis zum 3. Juni 2010 durch zusätzliche Informationen ergänzt. [EU]	The Netherlands submitted an application on 26 March 2010 to mobilise the EGF, in respect of redundancies in the enterprise NXP Semiconductors Netherlands BV, and supplemented it by additional information up to 3 June 2010.
	Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. [EU]	The product concerned by this investigation is the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
	Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. [EU]	The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
	Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Wafern oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. [EU]	The product under consideration and the like product are the same as that covered in the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea.
	Die Substitution von Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen für Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind, ist noch immer technisch nicht machbar. [EU]	The substitution of lead in PZT based dielectric ceramic materials for capacitors which are part of integrated circuits or discrete semiconductors is still technically impracticable.
	Die Substitution von Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen für Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind, ist technisch noch nicht praktikabel. [EU]	The substitution of lead in PZT based dielectric ceramic materials for capacitors being part of integrated circuits or discrete semiconductors is still technically impracticable.
	Es handelt sich um Halbleiter zur Speicherung von Binärdaten. [EU]	They are semiconductors that store binary data.
	In Artikel 1 Absatz 1 der ursprünglichen Verordnung wird auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen (so genannter DRAMs), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, mit Ursprung in der Republik Korea ein Ausgleichszoll eingeführt, der für alle Warentypen, unabhängig von Speicherdichte, Zugriffsgeschwindigkeit, Konfiguration, Gehäuse, Rahmen usw. gilt. [EU]	Article 1(1) of the original Regulation establishes that the product concerned subject to the countervailing duty is certain electronic microcircuits known as DRAMs of all types originating in the Republic of Korea. The product concerned is such regardless of the density, access speed, configuration, package or frame, etc. In addition, the manufacturing process is also mentioned (variations of metal oxide-semiconductors - MOS-process technology, including complementary MOS types - CMOS).
	Mehrkristall-Halbleiter-Gleichrichter [EU]	Polycrystalline semiconductors
	Metalloxidhalbleiter (MOS-Technik) [EU]	Metal oxide semiconductors (MOS technology)
	Molekularstruktur von Leitern, Halbleitern und Isolatoren. [EU]	Molecular structure of conductors, semiconductors and insulators.
	Nach den letzten Prognosen der World Semiconductor Trade Statistics (siehe folgende Tabelle) wird die mittlere Jahreszuwachsrate für Halbleiterprodukte im Zeitraum von 2003 bis 2005 weltweit 15,4 % betragen. [EU]	According to the latest forecasts of the World Semiconductor Trade Statistics (see table below), the average annual growth rate of the global market for semiconductors between 2003 and 2005 will be 15,4 %.
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