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electron
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Die Umlaufbahnen der Elektronen benachbarter Atomkerne können sich überschneiden. The electron orbits of adjacent atoms can overlap.

Aliquote Teile werden extrahiert und durch ein Polycarbonatfilter mit einer Porengröße von 0,2 μ;m gefiltert und zur Untersuchung unter einem Rasterelektronenmikroskop (SEM) vorbereitet. [EU] Aliquots are extracted and filtered through a 0,2 μ;m pore size, polycarbonate filter and prepared for examination using scanning electron microscope (SEM) techniques.

alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 0,01 µC/mm2 [EU] all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μ;coulomb/mm2 or better

alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 0,01 μ;Cb/mm2 [EU] All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μ;coulomb/mm2 or better

Andere elektronische Werkzeugmaschinen [EU] Machine-tools for working any material by removal of material, operated by electro-chemical, electron-beam, ionic-beam or plasma arc processes

Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung oder die Herstellung von Halbleiterbauelementen, die abgelenkte, fokussierte Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder "Laser" strahlen verwenden, mit einer der folgenden Eigenschaften: [EU] Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:

Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. [EU] Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.

Anmerkung: Unternummer 3A201c erfasst nicht Beschleuniger als Bestandteile von Geräten, die für die Anwendungsgebiete außerhalb der Elektronen- oder Röntgenbestrahlung (z. B. Elektronenmikroskopie) oder für medizinische Zwecke entwickelt wurden. [EU] Note: 3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.

Anmerkung:Unternummer 6A002a2 erfasst keine nicht-bildgebenden Fotomultiplierröhren mit einem elektronensensitiven Element innerhalb des Vakuums und beschränkt auf eines der Folgenden: [EU] Note:6A002.a.2. does not control non-imaging photomultiplier tubes having an electron sensing device in the vacuum space limited solely to any of the following:

a. Rasterelektronenmikroskope [EU] Scanning Electron Microscopes

B)1. PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl (EB-PVD) [EU] Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)

Behälter für Separatoren (zylindrische oder rechteckige Kessel) zur Aufnahme der Uranmetalldampfquelle, der Elektronenstrahlkanone und der Sammler für Product (angereichertes Uran) und Tails ("abgereichertes Uran") [EU] Separator module housings (cylindrical or rectangular vessels) for containing the uranium metal vapour source, the electron beam gun and the product and tails collectors

Beim PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl wird das Beschichtungsmaterial mittels Elektronenstrahl erhitzt und verdampft. [EU] Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating.

Bleioxid in Strukturelementen von Plasmadisplays (PDP) und SED-Displays (surface conduction electron emitter displays) wie der dielektrischen Schicht von Vorder- und Rückglas, der Bus-Elektrode, dem Black Stripe, der Adresselektrode, der Trenn-Barriere, der Glasfritte für die Befestigung (seal frit) und dem Glasfrittering (frit ring) sowie in Druckpasten. [EU] Lead oxide in plasma display panels (PDP) and surface conduction electron emitter displays (SED) used in structural elements; notably in the front and rear glass dielectric layer, the bus electrode, the black stripe, the address electrode, the barrier ribs, the seal frit and frit ring as well as in print pastes.

Bleioxid in Strukturelementen von SED-Displays (surface conduction electron emitter displays (SED), insbesondere in der Glasfritte für die Befestigung (seal frit) und dem Glasfrittering (frit ring) [EU] Lead oxide in surface conduction electron emitter displays (SED) used in structural elements, notably in the seal frit and frit ring

c. Durchstrahlungs-Elektronenmikroskope [EU] Transmission Electron Microscopes

Chemische Beschichtung aus der Gasphase (chemical vapour deposition) [EU] EB-PVD electron beam physical vapour deposition EBU

Dauerstrich (continuous wave) [EU] Electron cyclotron resonance EDM

d. Elektronenstoß-Massenspektrometer mit einer Quellenkammer, hergestellt aus 'Uranhexafluorid (UF6)-resistenten Werkstoffen', damit ausgekleidet oder plattiert [EU] d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with 'materials resistant to corrosion by uranium hexafluoride UF6'

Die folgenden Begriffe, ihre Einheiten und die auf sie einwirkenden Faktoren: Spannungsunterschied, elektromotorische Kraft, Spannung, Strom, Widerstand, Leitung, Ladung, konventioneller Stromfluss, Elektronenfluss. [EU] The following terms, their units and factors affecting them: potential difference, electromotive force, voltage, current, resistance, conductance, charge, conventional current flow, electron flow.

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The example sentences [G] were kindly provided by the Goethe Institute.
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