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Als DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) bezeichnete elektronische Mikroschaltungen [EU]

Electronic integrated circuits known as dynamic random access memories (DRAMs)

als "intelligente Karten (smart cards)", Karten, mit einer oder mehreren in ihnen als Mikroplättchen (Chip) eingelassenen elektronischen integrierten Schaltungen (Mikroprozessor, Schreib-/Lesespeicher (RAM –; random access memory) oder Festwertspeicher (ROM –; read-only memory)). [EU]

the term 'smart cards' means cards which have embedded in them one or more electronic integrated circuits (a microprocessor, random access memory (RAM) or read-only memory (ROM)) in the form of chips.

Am 3. August 2005 verabschiedete das Streitbeilegungsgremium (DSB) der Welthandelsorganisation (WTO) einen Bericht zur Streitsache "Europäische Gemeinschaften - Ausgleichsmaßnahmen gegenüber dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (DRAMs) aus Korea". [EU]

On 3 August 2005, the Dispute Settlement Body (DSB) of the World Trade Organisation (WTOmm) adopted a Panel report in 'European Communities - Countervailing measures on dynamic random access memory chips from Korea' [5].

Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird ein endgültiger Ausgleichszoll eingeführt. [EU]

A definitive countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc., originating in the Republic of Korea.

Ausgleichsmaßnahmen der Europäischen Gemeinschaften gegen dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff aus Korea, WT/DS299/R, Panel-Bericht vom 17. Juni 2005, Absatz 7186. [EU]

European Communities-Countervailing Measures on Dynamic random Access memory Chips from Korea, WT/DS299/R, Panel Report 17 June 2005, para 7186.

Berichtigung der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 des Rates zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) mit Ursprung in der Republik Korea [EU]

Corrigendum to Council Regulation (EC) No 2116/2005 of 20 December 2005 amending Regulation (EC) No 1480/2003 imposing a definitive countervailing duty and collecting definitively the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea

Der endgültigen Verordnung ging die Verordnung (EG) Nr. 708/2003 der Kommission vom 23. April 2003 zur Einführung eines vorläufigen Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend "vorläufige Verordnung" genannt) voraus. [EU]

The definitive Regulation was preceded by Commission Regulation (EC) No 708/2003 of 23 April 2003 imposing a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea [4] (provisional Regulation).

Der endgültigen Verordnung ging die Verordnung (EG) Nr. 708/2003 der Kommission vom 23. April 2003 zur Einführung eines vorläufigen Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea ("vorläufige Verordnung") voraus. [EU]

The definitive duty Regulation was preceded by Commission Regulation (EC) No 708/2003 of 23 April 2003 imposing a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea [3] (the provisional duty Regulation).

Der mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 eingeführte Ausgleichszoll auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten, Varianten, Zugriffsgeschwindigkeiten, Konfigurationen, Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird mit Wirkung vom 31. Dezember 2007 aufgehoben, und das Verfahren wird eingestellt. [EU]

The countervailing duty imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea imposed by Regulation (EC) No 1480/2003 is repealed as of 31 December 2007 and the proceeding is terminated.

Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. [EU]

The product concerned by this investigation is the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Wafern oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. [EU]

The product under consideration and the like product are the same as that covered in the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea.

DRAM (Dynamic Random Access Memory, dynamischer Direktzugriffspeicher) [EU]

Dynamic random access memory (DRAM)

Infineon Portugal ist eine Betriebseinheit für die Back-End-Fertigung und führt die Montage, den Endtest und die Verpackung von DRAM-Speichern (Dynamic Random Access Memory) mit 64 MB, 128 MB und 265 MB durch. [EU]

It is a back-end unit active in the assembly, final testing and packaging of 64 MB, 128 MB and 265 MB DRAMs (Dynamic Random Access Memory).

Internationale Normatmosphäre (international standard atmosphere) [EU]

SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRA shop replaceable assembly SRAM static random access memory SRM SACMA Recommended Methods SSB single sideband SSR

Jede Zahl darf nur dann auf Null zurückgesetzt werden, wenn die Zurücksetzung eines nichtflüchtigen Direktzugrifsspeichers (NVRAM) stattfindet (z. B. bei einer Umprogrammierung). [EU]

Each number shall be reset to zero only when a non-volatile random access memory (NVRAM) reset occurs (e.g. reprogramming event).

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 (nachstehend "ursprüngliche Verordnung" genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd. (nachstehend "Samsung" genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % (nachstehend "Ausgleichszoll" genannt) ein. [EU]

By Regulation (EC) No 1480/2003 [2] (the original Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % (the countervailing duty) on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 (nachstehend "endgültige Verordnung" genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend "Samsung" genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % ein. [EU]

By Regulation (EC) No 1480/2003 [3] (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 des Rates ("endgültige Verordnung") führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd ("Samsung"), für das ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % ein. [EU]

By Council Regulation (EC) No 1480/2003 [2] (the definitive duty Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 des Rates vom 11. August 2003 zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea wurden für die Einfuhren bestimmter elektronischer Schaltungen der Kapitel 84 und 85 der Kombinierten Nomenklatur Ausgleichszölle eingeführt. [EU]

For imports of certain electronic circuits covered by Chapters 84 and 85 of the Combined Nomenclature, countervailing duties have been imposed by Council Regulation (EC) No 1480/2003 of 11 August 2003 imposing a definitive countervailing duty and collecting definitively the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea [3].

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