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bipolar
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17 results for bipolar | bipolar
Word division: bi·po·lar
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Diese weltgeschichtlichen Ereignisse haben in einem sehr kurzen Zeitraum zwischen 1989 und 1991 die Koordinaten zeitgeschichtlicher Forschung insofern verschoben, als das Ende der bipolaren Weltordnung zugleich auch als Ende des "kurzen 20. Jahrhunderts" interpretiert werden konnte. [G] In the very short space of time between 1989 and 1991, these events of world history shifted the coordinates of research into contemporary history, in so far as the end of the bipolar world order could also at the same time be interpreted as marking the end of the "short 20th century".

Es beinhaltete den Eintritt der Vereinigten Staaten in den Ersten Weltkrieg, die russische Oktoberrevolution und den Beginn einer bipolaren Weltordnung, wie sie bis zum Ende des Kalten Krieges 1989/1991 fortbestand. [G] It was the year of the United States entry into the First World War, of the Russian October Revolution and of the beginning of the bipolar world order that prevailed until the Cold War ended in 1989/1991.

Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. [EU] Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.

Bipolare Darlington- oder Hochfrequenztransistoren (HF-Transistoren) [EU] Bipolar darlington or radio frequency (RF) transistors

Bipolare Sperrschicht-Transistoren (BJT) [EU] Bipolar junction transistors (BJT)

Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT) [EU] Insulated gate bipolar transistors (IGBT)

BJTs (Bipolar Junction Transistors) [EU] Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Globales Positionierungssystem (global positioning system) [EU] Hetero-bipolar transistors

Global positioning system (Globales Positionierungssystem) [EU] Hetero-bipolar transistors

Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices [EU] Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices

Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices [EU] Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices

Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) [EU] High density digital recording

Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) [EU] LIDAR light detection and ranging LRU line replaceable unit MAC

Hetero-bipolar transistors (Hetero-Bipolartransistor) [EU] High density digital recording

IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) [EU] Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Statischer Umwandler mit einem Leistungsschalter mit Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs), in einem Gehäuse, zur Verwendung beim Herstellen von Mikrowellengeräten der Unterposition 85165000 [EU] Static converter comprising a power switch with insulated-gate bipolar transistors (IGBTs), contained in a housing, for use in the manufacture of microwave ovens of subheading 85165000 [1]

Stromrichter mit einem Leistungsschalter mit Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs), in einem Gehäuse, zur Verwendung beim Herstellen von Mikrowellengeräten der Unterposition 85165000 [EU] Static converter comprising a power switch with insulated-gate bipolar transistors (IGBTs), contained in a housing, for use in the manufacture of microwave ovens of subheading 85165000 [1]

The example sentences [G] were kindly provided by the Goethe Institute.
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