Semiconductor : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

238 results for Semiconductor

Tip:

Gender of German nouns:
{m} = der, {f} = die, {n} = das, {pl} = die

	German	English
	Anmerkung 2: Die Erfassung von Halbleiter-"Lasern", besonders konstruiert für andere Einrichtungen, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der anderen Einrichtungen. [EU]	Note 2: The control status of semiconductor "lasers" specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
	Anmerkung 2:Excimer-, Halbleiter-, chemische-, CO- und CO2-"Laser" sowie Nd: Glas-Einzelpuls "laser" sind ausschließlich in Unternummer 6A005d aufgeführt. [EU]	Note 2:excimer, semiconductor, chemical, CO, CO2, and non-repetitive pulsed Nd: glass "lasers" are only specified in 6A005.d.
	Anmerkung:Die Bibliotheken, die Entwurfsattribute oder die zugehörigen Daten zum Entwurf von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen gelten als "Technologie". [EU]	Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
	Anmerkung: Nummer 2B226a erfasst keine Öfen zur Bearbeitung von Halbleiterwafern; [EU]	Note: 2B226.a. does not control furnaces designed for the processing of semiconductor wafers.
	Anmerkung: Unternummer 2B226a erfasst keine Öfen zur Bearbeitung von Halbleiterwafern; [EU]	Note: 2B226.a. does not control furnaces designed for the processing of semiconductor wafers.
	Anmerkung: Unternummer 6A002a2a3c gilt nicht für Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung: Unternummer 6A002a2b3 erfasst keine Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2a3c erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2b3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 15 mA/W. [EU]	Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 mA/W or less.
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2c3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden, entwickelt um eine der folgenden maximalen Strahlungsempfindlichkeiten (radiant sensitivity) zu erreichen: [EU]	Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2c3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden, entwickelt um eine der folgenden maximalen Strahlungsempfindlichkeiten (radiant sensitivity) zu erreichen: [EU]	Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes withdesigned to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
	Apparate für die Ablösung (Resistentfernung) oder Reinigung von Halbleiterscheiben (wafers) [EU]	Apparatus for stripping or cleaning semiconductor wafers
	Apparate für die Herstellung von Halbleitereinkristallbarren [EU]	Apparatus for growing or pulling monocrystal semiconductor boules
	Apparate und Geräte zum Messen physikalischer Eigenschaften von Halbleitermaterial oder Trägermaterialien für Flüssigkristallanzeigen oder damit verbundenen isolierenden oder leitfähigen Schichten während der Herstellung von Halbleiterscheiben (wafers) oder Flüssigkristallanzeigen [EU]	Apparatus for performing measurements of the physical properties of semiconductor materials or of LCD substrates or associated insulating and conducting layers during the semiconductor wafer production process or the LCD production process
	Apparate und Vorrichtungen für die Kurzzeiterwärmung von Halbleiterscheiben (wafers) [EU]	Apparatus for rapid heating of semiconductor wafers
	Apparate und Vorrichtungen zum Aufbringen von Epitaxieschichten auf Halbleiterscheiben (wafers) [EU]	Apparatus for epitaxial deposition on semiconductor wafers
	Apparate und Vorrichtungen zum Beschichten von Halbleiterscheiben (wafers) (CVD-Verfahren) [EU]	Apparatus for chemical vapour deposition on semiconductor wafers
	Apparate und Vorrichtungen zum physikalischen Beschichten von Halbleiterscheiben (wafers) [EU]	Apparatus for physical deposition on semiconductor wafers
	Apparate und Vorrichtungen zum physikalischen Beschichten von Halbleiterscheiben (wafers) mittels Elektronenstrahl oder durch Aufdampfen [EU]	Apparatus for physical vapour deposition by electronic beam or evaporation on semiconductor wafers
	Apparate zum Nassätzen, Entwickeln, Ablösen und Reinigen (Resistentfernung) von Halbleiterscheiben (wafers) oder Trägermaterialien für Flachbildschirmanzeigen [EU]	Apparatus for wet etching, developing, stripping or cleaning semiconductor wafers or flat panel display substrates
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The example sentences [G] were kindly provided by the Goethe Institute. Sentences marked by [EU] derived from DGT Multilingual Translation Memory. The European Commission retains ownership of the copyright in the original data.