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Apparate und Vorrichtungen zum Aufbringen von Epitaxieschichten auf Halbleiterscheiben (wafers) [EU] Apparatus for epitaxial deposition on semiconductor wafers

Einkristalle (einschließlich epitaktischer Wafer) aus einem der folgenden Werkstoffe: [EU] Single crystals (including epitaxial wafers) of any of the following:

Einkristalle (einschließlich epitaktischer Wafer) aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien: [EU] Single crystals (including epitaxial wafers) of any of the following:

Epitaxieausrüstung wie folgt: [EU] Equipment designed for epitaxial growth, as follows:

Formen bzw. in Form von Zylindern, Stäben usw. oder in Scheiben, Plättchen oder in ähnl. Formen geschnitten, auch poliert oder mit einer einheitlichen epitaxialen Schicht versehen (ausg. weiterbearbeitet, z. B. durch selektive Diffusion) [EU] Chemical elements and compounds doped for use in electronics, in the form of discs, wafers, cylinders, rods or similar forms, or cut into discs, wafers or similar forms, whether or not polished or with a uniform epitaxial coating (excl. elements that have been further processed, e.g. by selective diffusion)

Hetero-epitaxiale Werkstoffe aus einem "Substrat", das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält: [EU] Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:

Hetero-epitaxiale Werkstoffe oder Materialien aus einem "Substrat", das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält: [EU] Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:

Molekularstrahlepitaxie-Ausrüstung, die Gas- oder Feststoff-Quellen verwendet [EU] Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources

"Substrate", erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumgalliumnitrid. [EU] "Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.

The example sentences [G] were kindly provided by the Goethe Institute.
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