deposition : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

Dictionary De - En

De - Es

De - Pt

Vocabulary trainer

Spec. subjects	Grammar	Abbreviations	Random search	Preferences

Search in

Deposition

Search for:

ä ö ü ß

German

English

Anmerkung 1:Das CVD-Beschichten schließt folgende Verfahren ein: Abscheidung mittels gerichtetem Gasfluss ohne direkten Pulverkontakt des Substrats (out of pack), CVD-Beschichten mit pulsierendem Druck, thermische Zersetzung mit geregelter Keimbildung (CNTD), plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten. [EU]

1:CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.

Includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.

Anmerkung 1: Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am Target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können. [EU]

1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.

Anmerkung 1:Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am Target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können. [EU]

Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.

Anmerkung 2:Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren. [EU]

2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.

Anmerkung 2:Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren. [EU]

N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.

Anmerkung:Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung. [EU]

Definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.

Anmerkung:Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung. [EU]

N.B.:This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.

Anmerkung: Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung. [EU]

This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.

Anmerkungen zur Tabelle - Abscheidungsverfahren [EU]

Table - Deposition techniques - Notes

Anmerkung: Nummer 2B005 erfasst nicht Ausrüstung für chemische Beschichtung aus der Gasphase, Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Ionenplattierung oder Ionenimplantation, besonders konstruiert für Schneidwerkzeuge oder für Werkzeuge zur spanenden Bearbeitung. [EU]

Note: 2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.

Apparate und Vorrichtungen zum Aufbringen von Epitaxieschichten auf Halbleiterscheiben (wafers) [EU]

Apparatus for epitaxial deposition on semiconductor wafers

Apparate und Vorrichtungen zum Aufdampfen von Metall im Vakuum [EU]

Vacuum-vapour plant for the deposition of metal

Apparate und Vorrichtungen zum Beschichten von Halbleiterscheiben (wafers) (CVD-Verfahren) [EU]

Apparatus for chemical vapour deposition on semiconductor wafers

Apparate und Vorrichtungen zum Beschichten von Trägermaterialien für Flüssigkristallanzeigen (CVD-Verfahren) [EU]

Apparatus for chemical vapour deposition on LCD substrates

Apparate und Vorrichtungen zum Beschichten von Trägermaterialien für Flüssigkristallanzeigen (LCD) durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD-Verfahren) [EU]

Apparatus for chemical vapour deposition on liquid crystal devices (LCD) substrates

Apparate und Vorrichtungen zum physikalischen Beschichten von Halbleiterscheiben (wafers) [EU]

Apparatus for physical deposition on semiconductor wafers

Apparate und Vorrichtungen zum physikalischen Beschichten von Halbleiterscheiben (wafers) mittels Elektronenstrahl oder durch Aufdampfen [EU]

Apparatus for physical vapour deposition by electronic beam or evaporation on semiconductor wafers

Apparate zum physikalischen Beschichten von Trägermaterialien für Flüssigkristallanzeigen durch Kathodenzerstäubung (sputtering) [EU]

Apparatus for physical deposition by sputtering on LCD substrates

Apparate zum physikalischen Beschichten von Trägermaterialien für Flüssigkristallanzeigen (LCD) durch Kathodenzerstäubung (sputtering) [EU]

Apparatus for physical deposition by sputtering on liquid crystal devices (LCD) substrates

More results

The example sentences [G] were kindly provided by the Goethe Institute.
Sentences marked by [EU] derived from DGT Multilingual Translation Memory. The European Commission retains ownership of the copyright in the original data.