mA/W : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

14 results for mA/W

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	andere "III/V-Verbindungshalbleiter"-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W [EU]	Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W
	Anmerkung: Unternummer 6A002a2a3c gilt nicht für Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung: Unternummer 6A002a2b3 erfasst keine Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2a3c erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2b3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 15 mA/W. [EU]	Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 mA/W or less.
	Ansprech "zeitkonstante" kleiner als 0,5 ns oder [EU]	Specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
	besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm und [EU]	specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
	besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W [EU]	specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W
	durch die Konstruktion begrenzte, maximale Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: [EU]	limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
	"Focal-Plane-Arrays", besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: [EU]	"focal plane arrays" specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following: 1. incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and 2. any of the following: a. the response limiting mechanism is integral to or combined with the detector element; or b. the "focal plane array" is only operable with the response limiting mechanism in place.
	"Focal-Plane-Arrays", besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: [EU]	"Focal plane arrays" specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
	Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 15 mA/W [EU]	"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W
	kleiner/gleich 10 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer 400 nm und kleiner/gleich 1050 nm oder [EU]	10 mA/W or less. at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm; or
	kleiner/gleich 15 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer 1050 nm und kleiner/gleich 1800 nm. [EU]	15 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm.
The example sentences [G] were kindly provided by the Goethe Institute. Sentences marked by [EU] derived from DGT Multilingual Translation Memory. The European Commission retains ownership of the copyright in the original data.