Verbindungshalbleiter : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

16 results for Verbindungshalbleiter

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	andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: [EU]	Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
	andere III-V-Verbindungshalbleiter-Fotokathoden [EU]	other III-V compound semiconductor photocathodes
	andere "III/V-Verbindungshalbleiter"-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W [EU]	Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W
	Anmerkung: Unternummer 6A002a2a3c gilt nicht für Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung: Unternummer 6A002a2b3 erfasst keine Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2a3c erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU]	Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2b3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 15 mA/W. [EU]	Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 mA/W or less.
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2c3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden, entwickelt um eine der folgenden maximalen Strahlungsempfindlichkeiten (radiant sensitivity) zu erreichen: [EU]	Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
	Anmerkung:Unternummer 6A002a2c3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden, entwickelt um eine der folgenden maximalen Strahlungsempfindlichkeiten (radiant sensitivity) zu erreichen: [EU]	Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes withdesigned to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
	Fotokathoden aus einem "III/V-Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes) [EU]	"III-V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes
	Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 15 mA/W [EU]	"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W
	hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz oder [EU]	Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
	"Mikroprozessoren", "Mikrocomputer" und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz [EU]	"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz
	Speicherschaltungen aus einem Verbindungshalbleiter [EU]	Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor
	Verbindungshalbleiter-Fotokathoden. [EU]	Compound semiconductor photocathodes
	Verbindungshalbleiter-Fotokathoden [EU]	NB:For the status of weapons sights incorporating 'first generation image intensifier tubes' see entries ML1., ML2. and ML5.a.
The example sentences [G] were kindly provided by the Goethe Institute. Sentences marked by [EU] derived from DGT Multilingual Translation Memory. The European Commission retains ownership of the copyright in the original data.