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208 results for Semiconductores
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German
Spanish
8 h.
Blei
in
Lötmitteln
zur
Befestigung
von
Wärmeverteilern
an
Kühlkörpern
in
Halbleitermodulen
mit
einer
Chipgröße
von
mindestens
1
cm2
Projektionsfläche
und
einer
Nennstromdichte
von
mindestens
1
A/mm2
Siliziumchipfläche
. [EU]
Plomo
en
soldaduras
para
fijar
placas
difusoras
al
disipador
de
calor
en
ensamblajes
de
componentes
de
semiconductores
de
potencia
con
un
chip
con
un
área
de
proyección
mínima
de
1
cm2
y
una
densidad
de
corriente
nominal
de
,
al
menos
, 1
A/mm2
de
superficie
del
chip
de
silicio
Abstimmbare
Festkörper-'Laser'
,
soweit
nicht
in
den
Unternummern
0B001
.g.5,
0B001
.h.6.
oder
6A005
.b
erfasst
,
und
besonders
konstruierte
Bestandteile
hierfür
wie
folgt:
[EU]
"Láseres"
semiconductores
sintonizables
,
distintos
de
los
incluidos
en
0B001
.g.5.,
0B001
.h.6. o
6A005
.c.1, y
componentes
,
diseñados
especialmente
para
ellos
,
según
se
indica:
Abstimmbare
Festkörper-'Laser'
,
soweit
nicht
in
den
Unternummern
0B001
.g.5.,
0B001
.h.6.
oder
6A005
.c.1.
erfasst
,
und
besonders
konstruierte
Bestandteile
hierfür
wie
folgt:
[EU]
"Láseres"
semiconductores
"sintonizables"
,
distintos
de
los
incluidos
en
0B001
.g.5.,
0B001
.h.6. o
6A005
.c.1., y
componentes
,
diseñados
especialmente
para
ellos
,
según
se
indica:
Abstimmbare
Halbleiter-"Laser"
und
abstimmbare
Halbleiter-"Laser"-Arrays
mit
einer
Wellenlänge
größer/gleich
9
μ
;m
und
kleiner/gleich
17
μ
;m
sowie
Stacks
aus
Halbleiter-"Lasern"
,
die
wenigstens
ein
abstimmbares
Halbleiter-"Laser"-Array
mit
einer
solchen
Wellenlänge
enthalten
[EU]
"Láseres"
de
semiconductores
sintonizables
y
conjuntos
de
"láseres"
de
semiconductores
sintonizables
,
de
una
longitud
de
onda
entre
9
μ
;m y
17
μ
;m,
así
como
pilas
de
conjuntos
de
"láseres"
de
semiconductores
que
contengan
como
mínimo
un
conjunto
de
"láseres"
de
semiconductores
sintonizable
de
la
misma
longitud
de
onda
Abstimmbare
Halbleiter-"Laser"
und
abstimmbare
Halbleiter-"Laser"-Arrays
mit
einer
Wellenlänge
größer/gleich
9
μ
;m
und
kleiner/gleich
17
μ
;m
sowie
Stacks
aus
Halbleiter-"Laser"
,
die
wenigstens
ein
abstimmbares
Halbleiter-"Laser"-Array
mit
einer
solchen
Wellenlänge
enthalten
. [EU]
Semiconductores
«láseres»
sintonizables
y
conjuntos
de
«láseres»
de
semiconductores
,
de
una
longitud
de
onda
entre
9
μ
;m y
17
μ
;m,
así
como
pilas
de
conjuntos
de
«láseres»
de
semiconductores
que
contengan
como
mínimo
un
semiconductor
«láser»
array
sintonizable
de
la
misma
longitud
de
onda
.
Abstimmbare
Halbleiter-"Laser"
und
abstimmbare
Halbleiter-"Laser"-Arrays
mit
einer
Wellenlänge
größer/gleich
9
μ
;m
und
kleiner/gleich
17
μ
;m
sowie
Stacks
aus
Halbleiter-"Lasern"
,
die
wenigstens
ein
abstimmbares
Halbleiter-"Laser-Array"
mit
einer
solchen
Wellenlänge
enthalten
[EU]
Semiconductores
láseres
sintonizables
y
conjuntos
de
láseres
de
semiconductores
,
de
una
longitud
de
onda
entre
9
μ
;m y
17
μ
;m,
así
como
pilas
de
conjuntos
de
láseres
de
semiconductores
que
contengan
como
mínimo
un
semiconductor
"láser"
array
sintonizable
de
la
misma
longitud
de
onda
Abstimmbare
Halbleiter-'Laser'
und
abstimmbare
Halbleiter-'Laser'-Arrays
,
soweit
nicht
in
den
Unternummern
0B001
.h.6
oder
6A005
.b
erfasst
,
mit
einer
Wellenlänge
größer/gleich
9
μ
;m
und
kleiner/gleich
17
μ
;m
sowie
Stacks
aus
Halbleiter-'Lasern'
,
die
wenigstens
ein
abstimmbares
Halbleiter-'Laser'-Array
mit
einer
solchen
Wellenlänge
enthalten
. [EU]
"Láseres"
de
semiconductores
sintonizables
y
conjuntos
de
"láseres"
de
semiconductores
sintonizables
,
distintos
de
los
especificados
en
0B001
.h.6. o
6A005
.b.,
de
una
longitud
de
onda
entre
9
μ
;m y
17
μ
;m,
así
como
pilas
de
conjuntos
de
"láseres"
de
semiconductores
que
contengan
como
mínimo
un
conjunto
de
"láseres"
de
semiconductores
sintonizable
de
la
misma
longitud
de
onda
.
a.
einzelne
Halbleiter-"Laser"
mit
einer
jeweiligen
Ausgangsleistung
größer
als
200
mW
,
in
Mengen
größer
als
100
[EU]
"Láseres"
de
semiconductores
individuales
con
una
potencia
de
salida
media
superior
a
200
mW
,
en
cantidades
superiores
a
100
als
"nicht
flüchtige
Halbleiterspeichervorrichtung"
(z. B.
"Flash
Memory
Card"
oder
"Flash
Electronic
Storage
Card"
)
Speichervorrichtungen
mit
einer
elektrischen
Anschlussvorrichtung
,
die
im
gleichen
Gehäuse
einen
oder
mehrere
Flashspeicher
(z. B.
"Flash
E2PROM"
)
in
Form
von
auf
gedruckten
Schaltungen
montierten
integrierten
Schaltungen
enthalten
. [EU]
se
consideran
«dispositivos
de
almacenamiento
permanente
de
datos
a
base
de
semiconductores
»
(por
ejemplo
,
«tarjetas
de
memoria
flash»
o
«tarjetas
de
memoria
electrónica
flash»
)
los
dispositivos
de
almacenamiento
con
un
conector
,
que
tienen
,
en
la
misma
envoltura
,
una
o
más
memorias
flash
(por
ejemplo
,
«E2PROM
FLASH»
)
en
forma
de
circuitos
integrados
montados
en
una
tarjeta
de
circuitos
impresos
.
andere
Halbleiterbauelemente
[EU]
Los
demás
dispositivos
semiconductores
andere
III-V-Verbindungshalbleiter-Fotokathoden
[EU]
Otros
fotocátodos
semiconductores
compuestos
III-V
andere
"III/V-Verbindungshalbleiter"-Fotokathoden
mit
einer
maximalen
Strahlungsempfindlichkeit
(
radiant
sensitivity
)
größer
10
mA/W
[EU]
Otros
fotocátodos
semiconductores
"compuestos
III/-V"
que
tengan
una
sensibilidad
máxima
de
radiación
superior
a
10
mA/W
An
diesem
Übergang
wird
Licht
emittiert
,
wenn
er
durch
einen
elektrischen
Strom
angeregt
wird
. [EU]
«diodo
fotoemisor
(LED)»
fuente
luminosa
formada
por
un
dispositivo
de
semiconductores
que
contiene
una
unión
p-n
de
material
inorgánico
.
Esta
unión
emite
radiación
óptica
cuando
es
activada
por
la
corriente
eléctrica
.
An
diesem
Übergang
wird
Licht
emittiert
,
wenn
er
durch
einen
elektrischen
Strom
angeregt
wird
[EU]
«diodo
fotoemisor
(LED)»
fuente
luminosa
formada
por
un
dispositivo
de
semiconductores
que
contiene
una
unión
p-n
.
Esta
unión
emite
radiación
óptica
cuando
es
activada
por
la
corriente
eléctrica
Anlagen
,
besonders
konstruiert
für
die
Maskenherstellung
oder
die
Herstellung
von
Halbleiterbauelementen
,
die
abgelenkte
,
fokussierte
Elektronenstrahlen
,
Ionenstrahlen
oder
"Laser"
strahlen
verwenden
,
mit
einer
der
folgenden
Eigenschaften:
[EU]
Equipos
diseñados
especialmente
para
la
fabricación
de
máscaras
o
el
proceso
de
dispositivos
semiconductores
utilizando
un
haz
electrónico
,
un
haz
iónico
o
un
haz
"laser"
,
enfocado
y
desviable
, y
que
tengan
cualquiera
de
las
características
siguientes:
Anlagen
,
besonders
konstruiert
für
die
Maskenherstellung
oder
die
Herstellung
von
Halbleiterbauelementen
,
die
abgelenkte
,
fokussierte
Elektronenstrahlen
,
Ionenstrahlen
oder
"Laser"strahlen
verwenden
,
mit
einer
der
folgenden
Eigenschaften:
[EU]
Equipos
diseñados
especialmente
para
la
fabricación
de
máscaras
o
el
proceso
de
dispositivos
semiconductores
utilizando
un
haz
electrónico
,
un
haz
iónico
o
un
haz
"laser"
,
por
enfoque
y
deflexión
, y
que
tengan
cualquiera
de
las
características
siguientes:
Anlagen
,
besonders
konstruiert
für
die
Maskenherstellung
oder
die
Herstellung
von
Halbleiterbauelementen
,
die
Direktschreibverfahren
verwenden
,
mit
allen
folgenden
Eigenschaften:
[EU]
Equipos
diseñados
especialmente
para
la
fabricación
de
máscaras
o
el
proceso
de
dispositivos
semiconductores
utilizando
métodos
de
escritura
directa
,
que
cumplan
todo
lo
siguiente:
Anmerkung
1:
Unternummer
6A005b
schließt
Halbleiter-"Laser"
mit
faser-optischen
Anschlussstücken
(
fibre
optic
pigtails
)
ein
. [EU]
Nota
1:
El
subartículo
6A005
.b.
incluye
los
"láseres"
de
semiconductores
que
tienen
conectores
ópticos
de
salida
(por
ejemplo
,
espirales
de
fibra
óptica
).
Anmerkung
1:Unternummer
6A005d1
schließt
Halbleiter"laser"
mit
faseroptischen
Anschlussstücken
(
fibre
optic
pigtails
)
ein
. [EU]
Nota
1:El
subartículo
6A005
.d.1
incluye
los
"láseres"
de
semiconductores
que
tienen
conectores
ópticos
de
salida
(por
ejemplo
,
latiguillos
de
fibra
óptica
).
Anmerkung
1:Unternummer
6A005d1
schließt
Halbleiter
"laser"
mit
faseroptischen
Anschlußstücken
(
fibre
optic
pigtails
)
ein
. [EU]
Nota
1:El
subartículo
6A005
.d.1
incluye
los
"láseres"
de
semiconductores
que
tienen
conectores
ópticos
de
salida
(por
ejemplo
,
latiguillos
de
fibra
óptica
).
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