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11 results for multiplication
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Anmerkung: Unternummer 8A002f erfasst keine digitalen Kameras, die besonders konstruiert sind für Konsumeranwendungen, ausgenommen solche, die Verfahren der elektronischen Bildmultiplikation (electronic image multiplication) verwenden. [EU] Nota: El subartículo 8A002.f. no somete a control las cámaras digitales especialmente diseñadas para consumo, distintas a aquéllas que utilicen técnicas electrónicas de multiplicación de imagen.

Anmerkung:Unternummer 8A002f erfasst keine digitalen Kameras, die besonders konstruiert sind für Konsumeranwendungen, ausgenommen solche, die Verfahren der elektronischen Bildmultiplikation (electronic image multiplication) verwenden. [EU] Nota:El subartículo 8A002.f. no somete a control las cámaras digitales especialmente diseñadas para consumo, distintas a aquellas que utilicen técnicas electrónicas de multiplicación de imagen.

besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm und [EU] Diseñados especialmente o modificados para obtener una 'multiplicación de carga' y con una sensibilidad máxima de radiación superior a 10 mA/W para longitudes de onda superiores a 760 nm; y

besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W [EU] Especialmente diseñados o modificados para obtener una 'multiplicación de carga' y con una sensibilidad máxima de radiación superior a 10 mA/W

elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) auf andere Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte [EU] Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igual o inferior a 500 micras, especialmente diseñado o modificado para obtener una 'multiplicación de carga' por medios distintos de las placas de microcanal

elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) auf andere Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte, und [EU] Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igual o inferior a 500 micras, diseñado especialmente o modificado para obtener una 'multiplicación de carga' por medios distintos de las placas de microcanal; y

elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) auf andere Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte, und [EU] Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igual o inferior a 500 micras, especialmente diseñado o modificado para obtener una 'multiplicación de carga' por medios distintos de las placas de microcanal; y

"Focal-Plane-Arrays", besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: [EU] "Conjuntos de plano focal" diseñados especialmente o modificados para obtener una 'multiplicación de carga' y que por su diseño están limitados a poseer una sensibilidad máxima de radiación igual o inferior a 10 mA/W con longitudes de onda superiores a 760 nm, que cumplan todo lo siguiente:

Geräte mit komplementären Metall-Oxid-Halbleitern (CMOS), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication). [EU] Dispositivos de semiconductores de óxido metálico complementarios () no diseñados ni modificados para alcanzar una 'multiplicación de carga'.

ladungsgekoppelte Geräte (Charge Coupled Devices (CCD)), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) oder [EU] Dispositivos de carga acoplada () no diseñados ni modificados para alcanzar una 'multiplicación de carga'; o

'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) ist eine Form der elektronischen Bildverstärkung und wird definiert als die Ladungsträgererzeugung aufgrund von Stoßionisationsprozessen (impact ionization gain process). [EU] La 'multiplicación de carga' es una forma de amplificación electrónica de imagen, y se define como la generación de portadores de carga como consecuencia de un proceso de ganancia de ionización por impacto.

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[I] IndustryStock.com, [L] spanisch-lehrbuch.de.
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