Transistors : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

19 results for Transistors

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	Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. [EU]	Nota: El subartículo 3E003.b. no somete a control la tecnología para los transistores de alta movilidad de electrones ("HEMT") que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión ("HBT") que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
	Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. [EU]	Nota:El subartículo 3E003.b.. no somete a control la"tecnología"para los transistores de alta movilidad de electrones () que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión () que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
	BJTs (Bipolar Junction Transistors) [EU]	Transistores de unión bipolar (BJTs)
	DMOSFETs (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) [EU]	Transistores de doble difusión de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico ()
	Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices [EU]	Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones («HEMT»), transistores bipolares de heterounión («HBT»), dispositivos de pozo cuántico o de super redes
	Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices [EU]	Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones (), transistores bipolares de heterounión (), dispositivos de pozo cuántico o de super redes
	Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices [EU]	Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones («HEMT»), transistores bipolares de heterounión («HBT»), dispositivos de pozo cuántico o de super redes
	HEMTs (High Electron Mobility Transistors) [EU]	Transistores de alta movilidad de electrones ()
	Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) [EU]	Registro digital de alta densidad
	Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) [EU]	Sistema de posicionamiento global por satélite (USA)
	Hetero-bipolar transistors (Hetero-Bipolartransistor) [EU]	Registro digital de alta densidad
	High electron mobility transistors (Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit) [EU]	Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos
	IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) [EU]	Transistores bipolares de puerta aislada ()
	JFETs (Junction Field Effect Transistors) [EU]	Transistores de efecto campo de unión ()
	MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) [EU]	Transistores de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico ()
	nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und [EU]	tres salidas eléctricas, como máximo, cada una de las cuales incluye dos interruptores eléctricos MOSFET (Transistor de efecto de campo de óxido de metal semiconductor - Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) o IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada - Insulated Gate Bi-polar Transistors)) y controles (drives) internos, y
	Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors) [EU]	Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos
	Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors) [EU]	Registro digital de alta densidad
	VJFETs (Vertical Junction Field Effect Transistors) [EU]	Transistores verticales de efecto campo de unión ()
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