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5 results for HEMT
Tip:
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German
Spanish
Anmerkung:
Nummer
3E003b
erfasst
nicht
"Technologie"
für
HEMT
(
high
electron
mobility
transistors
)
mit
Betriebsfrequenzen
kleiner
als
31
,8
GHz
sowie
HBT
(
hetero-bipolar
transistors
)
mit
Betriebsfrequenzen
kleiner
als
31
,8
GHz
. [EU]
Nota:
El
subartículo
3E003
.b.
no
somete
a
control
la
tecnología
para
los
transistores
de
alta
movilidad
de
electrones
("HEMT")
que
funcionen
a
frecuencias
inferiores
a
31
,8
GHz
y
los
transistores
bipolares
de
heterounión
("HBT")
que
funcionen
a
frecuencias
inferiores
a
31
,8
GHz
.
Anmerkung:Nummer
3E003b
erfasst
nicht
"Technologie"
für
HEMT
(
high
electron
mobility
transistors
)
mit
Betriebsfrequenzen
kleiner
als
31
,8
GHz
sowie
HBT
(
hetero-bipolar
transistors
)
mit
Betriebsfrequenzen
kleiner
als
31
,8
GHz
. [EU]
Nota:El
subartículo
3E003
.b..
no
somete
a
control
la"tecnología"para
los
transistores
de
alta
movilidad
de
electrones
()
que
funcionen
a
frecuencias
inferiores
a
31
,8
GHz
y
los
transistores
bipolares
de
heterounión
()
que
funcionen
a
frecuencias
inferiores
a
31
,8
GHz
.
Halbleiterbauelemente
mit
heterogener
Struktur
, z.B.
HEMT
(
high
electron
mobility
transistors
),
HBT
(
hetero-bipolar
transistors
),
quantum
well
devices
oder
super
lattice
devices
[EU]
Dispositivos
semiconductores
de
hetero-estructura
tales
como
los
transistores
de
alta
movilidad
de
electrones
(«HEMT»),
transistores
bipolares
de
heterounión
(«HBT»),
dispositivos
de
pozo
cuántico
o
de
super
redes
Halbleiterbauelemente
mit
heterogener
Struktur
, z.B.
HEMT
(
high
electron
mobility
transistors
),
HBT
(
hetero-bipolar
transistors
),
quantum
well
devices
oder
super
lattice
devices
[EU]
Dispositivos
semiconductores
de
hetero-estructura
tales
como
los
transistores
de
alta
movilidad
de
electrones
(),
transistores
bipolares
de
heterounión
(),
dispositivos
de
pozo
cuántico
o
de
super
redes
Halbleiterbauelementen
mit
heterogener
Struktur
, z. B.
HEMT
(
high
electron
mobility
transistors
),
HBT
(
hetero-bipolar
transistors
),
quantum
well
devices
oder
super
lattice
devices
[EU]
Dispositivos
semiconductores
de
hetero-estructura
tales
como
los
transistores
de
alta
movilidad
de
electrones
(«HEMT»),
transistores
bipolares
de
heterounión
(«HBT»),
dispositivos
de
pozo
cuántico
o
de
super
redes
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[I]
IndustryStock.com
, [L]
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.
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. The European Commission retains ownership of the copyright in the original data.
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