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	Andere lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (z. B. Solarzellen, Fotodioden, Fototransistoren, Fotothyristoren, Fotokoppler) [EU]	Dispositivos fotossensíveis semicondutores; células solares, fotodíodos, fototransístores ...
	Andere lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (z. B. Solarzellen, Fotodioden, Fototransistoren, Fotothyristoren, Fotokoppler) [EU]	Dispositivos fotossensíveis semicondutores, inclui as células fotovoltaicas (por ex: células solares, fotodíodos, fototransístores, fotobinários, fotorelés e semelhantes)
	Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. [EU]	Nota:3E003.b. não abrange a tecnologia para transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de hetero-junção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz.
	Anwendung von Transistoren: Verstärkerklassen (A, B, C); [EU]	Aplicação de transístores: classes de amplificador (A, B, C)
	auch mit Dioden und Thermistoren [EU]	mesmo que contenham díodos e com ou sem termístores,
	besonders konstruiert für eine der folgenden Eigenschaften: [EU]	Dispositivos microelectrónicos de vácuo; b. Dispositivos de semicondutores com hétero-estrutura como transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT), transístores hétero-bipolares (HBT), e dispositivos de poços quânticos ou de super-redes; Nota: 3E003.b. não abrange a tecnologia para transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de hetero-junção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz. c. Dispositivos electrónicos "supercondutores";
	Bipolare Darlington- oder Hochfrequenztransistoren (HF-Transistoren) [EU]	Transístores Darlington bipolares ou de radiofrequência (RF)
	Bipolare Sperrschicht-Transistoren (BJT) [EU]	Transístores bipolares de junção (BJT)
	Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT) [EU]	Transístores bipolares de porta isolada (IGBT)
	BJTs (Bipolar Junction Transistors) [EU]	Transístores bipolares de junção (BJTs)
	CPA 26.11.21: Dioden; Transistoren; Thyristoren, Diacs und Triacs [EU]	CPA 26.11.21: Díodos; transístores; tirístores, diacs e
	CPA 26.11.21: Dioden; Transistoren; Thyristoren, Diacs und Triacs [EU]	CPA 26.11.21: Díodos; transístores; tirístores, diacs e triacs
	Der gedruckte Schaltkreis verfügt über einen Infrarot-Sensor, Passivbauteile (Kondensatoren, Widerstände), Aktivbauteile (Transistoren, integrierte Schaltkreise) und eine Leuchtdiode. [EU]	A montagem de circuito impresso está equipada com um sensor de infravermelhos, elementos passivos (condensadores, resistências), elementos ativos (transístores, circuitos integrados) e um díodo emissor de luz.
	Die Ware besteht aus zwei miteinander verbundenen Baugruppen gedruckter Schaltungen, wobei jede Baugruppe passive Elemente (Kondensatoren und Widerstände) und aktive Elemente (Dioden, Leuchtdioden (LEDs), Transistoren und integrierte Schaltkreise) enthält. [EU]	O artigo tem a forma de dois conjuntos de circuitos impressos interconectados, cada um contendo componentes passivos (condensadores e resistências) e componentes activos (díodos, díodos emissores de luz (LED), transístores e circuitos integrados).
	Dioden; Transistoren; Thyristoren, Diacs und Triacs [EU]	Díodos; transístores; tirístores, diacs e triacs
	Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente, ausgenommen noch nicht in Mikroplättchen zerschnittene Scheiben (Wafers) [EU]	Díodos, transístores e dispositivos semelhantes com semicondutores, com exclusão dos discos (wafers) ainda não cortados em microchapas
	"Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente" Bauelemente, deren Arbeitsweise auf der Veränderung des spezifischen Widerstandes unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes beruht [EU]	«Díodos, transístores e dispositivos semicondutores semelhantes», os dispositivos cujo funcionamento se baseie na variação da resistividade sob a influência de um campo eléctrico
	"Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente" Bauelemente, deren Arbeitsweise auf der Veränderung des spezifischen Widerstandes unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes beruht [EU]	«Díodos, transístores e dispositivos semicondutores semelhantes», os dispositivos cujo funcionamento se baseie na variação da resistividade sob a influência de um campo elétrico
	Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente; lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (einschließlich Fotoelemente, auch zu Modulen zusammengesetzt oder in Form von Tafeln); Leuchtdioden; gefasste oder montierte piezoelektrische Kristalle [EU]	Díodos, transístores e dispositivos semelhantes semicondutores; dispositivos fotossensíveis semicondutores, incluindo as células fotovoltaicas, mesmo montadas em módulos ou em painéis; díodos emissores de luz; cristais piezoeléctricos montados
	Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente; lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (einschließlich Fotoelemente, auch zu Modulen zusammengesetzt oder in Form von Tafeln); Leuchtdioden; gefasste oder montierte piezoelektrische Kristalle [EU]	Díodos, transístores e dispositivos semelhantes semicondutores; dispositivos fotossensíveis semicondutores, incluindo as células fotovoltaicas, mesmo montadas em módulos ou em painéis; díodos emissores de luz; cristais piezoelétricos montados
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