semicondutor : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

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	8 g. Blei in Lötmitteln zum Herstellen einer stabilen elektrischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger in integrierten Flip-Chip-Baugruppen [EU]	Chumbo em soldas destinadas a estabelecer uma ligação eléctrica viável entre a pastilha do semicondutor e o substrato, no interior dos invólucros de circuitos integrados do tipo Flip Chip.
	andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: [EU]	Circuitos integrados digitais, com excepção dos referidos em 3A001.a.3. a 3A001.a.10. e 3A001.a.12., fabricados a partir de um semicondutor composto e com uma das seguintes características:
	Außerdem verfügt er über einen DIP-Schalter, einen Sabotageschutzschalter (anti-tamper switch), eine Lüsterklemme und einen Ausgang in Form eines Halbleiterrelais. [EU]	Está igualmente equipada com um comutador DIP, um interruptor de segurança, um bloco de conectores terminais de enroscar e uma saída do tipo relé semicondutor.
	Blei in Loten zum Herstellen einer stabilen elektrischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Schaltungsträger in integrierten Flip-Chip-Baugruppen [EU]	Chumbo em soldas destinadas a estabelecer uma ligação eléctrica viável entre a pastilha do semicondutor e o substrato, no interior dos invólucros de circuitos integrados do tipo Flip Chip
	Blei in Lötmitteln zum Herstellen einer stabilen elektrischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger in integrierten Flip-Chip-Baugruppen [EU]	Chumbo em soldas destinadas a estabelecer uma ligação eléctrica durável entre a pastilha do semicondutor e o substrato, no interior dos invólucros de circuitos integrados do tipo Flip Chip.
	Da das Gerät aus mehreren Komponenten wie lichtempfindlichen Zellen, integrierten Schaltkreisen und Glasfaserplatten mit Szintillatoren besteht, ist eine Einreihung in die Position 8541 als lichtempfindliches Halbleiterbauelement ausgeschlossen. [EU]	Dado que o dispositivo é constituído por diversos componentes, tais como células fotossensíveis, circuitos integrados e placas de fibra ótica com cintiladores, está excluída a sua classificação na posição 8541 como dispositivo fotossensível semicondutor.
	Da das Gerät nur über Bauteile derselben Art verfügt (zwei Halbleiterrelaisschalter) ist eine Einreihung in Position 8537 ausgeschlossen (vgl. auch HS-Erläuterungen zu Position 8537, Ausschluss b)). [EU]	Como o aparelho tem unicamente componentes do mesmo tipo (dois comutadores do tipo relé semicondutor), a classificação na posição 8537 está, portanto, excluída (ver igualmente as Notas Explicativas do Sistema Harmonizado da posição 8537, exclusão b)).
	das Verfahren der Diffusion (bei dem durch selektives Aufbringen eines geeigneten Dotierungsstoffes auf ein Halbleitersubstrat integrierte Schaltungen gebildet werden), auch wenn der Zusammenbau und/oder das Testen in einem in Artikel 3 und 4 nicht genannten Land stattfinden [EU]	A operação de difusão (quando os circuitos integrados se formam sobre um suporte semicondutor através da introdução selectiva de um dopante adequado), quer sejam ou não montados e/ou testados num país diferente dos citados nos artigos 3.o e 4.o
	das Verfahren der Diffusion (bei dem durch selektives Aufbringen eines geeigneten Dotierungsstoffes auf ein Halbleitersubstrat integrierte Schaltungen gebildet werden), auch wenn der Zusammenbau und/oder das Testen in einem in Artikel 3 nicht genannten Land stattfinden [EU]	A operação de difusão (quando os circuitos integrados se formam sobre um suporte semicondutor através da introdução selectiva de um dopante adequado), quer sejam ou não montados e/ou testados num país diferente dos citados nos artigos 3.o e 4.o
	einem ladungsgekoppelten (CCD) Einzelsensorelement oder einem CMOS-Sensor [EU]	um único sensor constituído por um dispositivo de acoplamento por carga (CCD) ou um sensor constituído por um dispositivo semicondutor de óxido metálico complementar (CMOS)
	Einheit, bestehend aus zwei Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) in einem Dual-lead-frame-Gehäuse [EU]	Unidade composta por dois transístores de efeito de campo de semicondutor metal óxido encerrados num invólucro com duplo quadro de ligações (dual lead frame)
	Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter"substrat" [EU]	Energia do feixe igual ou superior a 65 keV e corrente do feixe igual ou superior a 45 mA para a implantação de oxigénio com elevada energia num "substrato" de material semicondutor aquecido
	Halbleiter-Aufzeichnungsträger [EU]	Suportes de semicondutor
	hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz oder [EU]	Fabricados a partir de um semicondutor composto e funcionando com uma frequência de relógio superior a 40 MHz, ou
	magnetische, optische oder Halbleiter-Aufzeichnungsträger verwendend [EU]	Que utilizem um suporte magnético, óptico ou de semicondutor
	magnetische, optische oder Halbleiter-Aufzeichnungsträger verwendend [EU]	Que utilizem um suporte magnético, ótico ou de semicondutor
	"Mikroprozessoren", "Mikrocomputer" und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz [EU]	"Microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos microcomputadores" e microcircuitos microcontroladores fabricados a partir de um semicondutor composto e funcionando com uma frequência de relógio superior a 40 MHz
	mit einem ladungsgekoppelten (CCD) Einzelsensorelement oder einem CMOS-Sensor [EU]	com um único dispositivo de acoplamento por carga (CCD) ou sensor complementar semicondutor de óxidos metálicos (CMOS),
	monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z. B. dotiertes Silizium, Galliumarsenid, Silizium-Germanium, Indiumphosphid) hergestellt worden sind und ein untrennbares Ganzes bilden [EU]	Os circuitos integrados monolíticos em que os elementos do circuito (díodos, transístores, resistências, condensadores, indutâncias, etc.) são criados essencialmente na massa e à superfície de um material semicondutor (por exemplo, silício impurificado (dopado), arsenieto de gálio, silício-germânio, fosforeto de índio), formando um todo indissociável
	PN-Übergang in einem Halbleiter, Entwicklung von Potential über einen PN-Übergang in den Zuständen ohne Vorspannung, mit Vorwärts-Vorspannung und Rückwärts-Vorspannung; [EU]	Junções PN num semicondutor, desenvolvimento de um potencial numa junção PN em situações de não polarização, polarização directa e polarização inversa
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