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Andere digitale Verarbeitungseinheiten, auch mit einer o. mehreren Speichereinheiten u./o. nur mit einer Eingabe- o. nur mit einer Ausgabeeinheit kombiniert [EU] Outras máquinas automáticas digitais para processamento de dados: contendo ou não, no mesmo corpo, 1 ou 2 unidades seguintes: de memória, de entrada/saída

Andere digitale Verarbeitungseinheiten, auch wenn sie eine oder zwei der folgenden Einheitenarten in einem gemeinsamen Gehäuse umfassen: Speichereinheiten, Eingabeeinheiten, Ausgabeeinheiten [EU] Outras máquinas automáticas digitais para processamento de dados, contendo ou não, no mesmo corpo, um ou dois dos seguintes tipos de unidades: de memória e de entrada/saída

Andere Ein- oder Ausgabeeinheiten, auch wenn sie in einem gemeinsamen Gehäuse Speichereinheiten enthalten [EU] Outras unidades de entrada e saída, para máquinas automáticas digitais, para processamento de dados, contendo ou não, no mesmo corpo, unidades de memória (excepto teclados)

Andere Ein- oder Ausgabeeinheiten, auch wenn sie in einem gemeinsamen Gehäuse Speichereinheiten enthalten [EU] Outras unidades de entrada e saída, para máquinas automáticas digitais, para processamento de dados, contendo ou não, no mesmo corpo, unidades de memória (exceto teclados)

Andere Plattenspeichereinheiten [EU] Outras unidades de memória, de discos

Andererseits werden in Artikel 1 Absatz 1 der ursprünglichen Verordnung ausdrücklich Scheiben (wafers), Chips, montierte DRAMs (d. h. einbaufertige DRAMs und DRAM-Multikombinationsformen) und DRAMs in (nicht kundenspezifischen) Speichermodulen oder Speicherplatten oder in anderer aggregierter Form (nachstehend "DRAM-Chips und/oder einbaufertige DRAMs in DRAM-Multikombinationsformen" genannt) als betrof-fene Ware genannt. [EU] Por outro lado, os tipos do produto em causa explicitamente mencionados no n.o 1 do artigo 1.o do regulamento inicial são DRAM sob forma de discos (wafers), retículos ou pastilhas (dice), conjuntos DRAM (ou seja, montagens DRAM, bem como DRAM em forma de combinações múltiplas) e DRAM na forma de módulos de memória standard, placas de memória standard ou qualquer outra forma agregada (a seguir designadas como «DRAM sob forma de retículos ou pastilhas e/ou montagens DRAM, integradas em DRAM em forma de combinações múltiplas»).

Andere Schreib-Lesespeicher und Lesespeicher, in MOS-Technik hergestellt [EU] Outras memórias de tipo MOS

Andere Speichereinheiten [EU] Outras unidades de memória

Anhang XVIII (außer i) der Tabelle "Der EZB zu übermittelnde Reihen über SFI ohne Investmentfonds (Schlüsselindikatoren (Schlüssel.)/Nachrichtliche Positionen (Nachrichtl.))" in Anlage 1 und ii) der Anlage 2) erhält die Fassung des Anhangs V der vorliegenden Leitlinie. [EU] O anexo XVIII, salvo no que respeita i) ao quadro intitulado «Séries sobre OIF que não sejam fundos de investimento a reportar ao BCE (principais indicadores/rubricas por memóriado seu apêndice 1 e ii) ao seu apêndice 2, é substituído pelo anexo V da presente orientação.

Anhang IX sollte dahin gehend geändert werden, dass in diesen Anhang eine Meldepflicht für nachrichtliche Positionen der Geld- und Bankenstatistik aufgenommen wird, die für die vierteljährliche Erstellung der Finanzierungsrechnungen für die Währungsunion ("Monetary Union Financial Accounts") (nachfolgend als "MUFA" bezeichnet) erforderlich sind. [EU] O anexo IX deve ser alterado de forma a incluir um requisito de reporte das rubricas por memória das estatísticas monetárias e bancárias necessárias à elaboração trimestral das contas financeiras da União Monetária (MUFA).

Anhang XIII sollte geändert werden, um den neuen vierteljährlichen Berichtigungen nachrichtlicher Positionen Rechnung zu tragen, die nun gemäß Anhang X gemeldet werden müssen. [EU] O anexo XIII deve ser alterado para ter em consideração os novos ajustamentos trimestrais das rubricas por memória, que passaram a ser requeridos de acordo com o disposto no anexo X.

Anmerkung 1: Für Zusammenschaltungen mehrerer "Rechenelemente""CEs", die sowohl gemeinsamen Speicher als auch lokalen (keinen gemeinsamen) Speicher besitzen, ist die Berechnung der "zusammengesetzten theoretischen Verarbeitungsrate""CTP" in zwei Schritten nacheinander durchzuführen: a) es ist die "zusammengesetzte theoretische Verarbeitungsrate""CTP" der Zusammenschaltung (Gruppen) der "Rechenelemente""CEs" mit gemeinsamem Speicher und dann b) die "zusammengesetzte theoretische Verarbeitungsrate""CTP" der Gruppen unter Verwendung der Rechenvorschrift für mehrere parallel arbeitende "Rechenelemente""CEs" ohne einen gemeinsamen Speicher zu berechnen. [EU] Algoritmos de detecção ou correcção de erros na "memória principal".

Anmerkung 1: Für Zusammenschaltungen mehrerer "Rechenelemente""CEs", die sowohl gemeinsamen Speicher als auch lokalen (keinen gemeinsamen) Speicher besitzen, ist die Berechnung der "zusammengesetzten theoretischen Verarbeitungsrate""CTP" in zwei Schritten nacheinander durchzuführen: a) es ist die "zusammengesetzte theoretische Verarbeitungsrate""CTP" der Zusammenschaltung (Gruppen) der "Rechenelemente""CEs" mit gemeinsamem Speicher und dann b) die "zusammengesetzte theoretische Verarbeitungsrate""CTP" der Gruppen unter Verwendung der Rechenvorschrift für mehrere parallel arbeitende "Rechenelemente""CEs" ohne einen gemeinsamen Speicher zu berechnen. [EU] Nota 1: Para agregados de múltiplos "EC" que tenham subsistemas de memória partilhada e não partilhada, o cálculo do "DTC" é realizado hierarquicamente em duas etapas: primeira, agregar os grupos de "EC" que partilham memória; segunda, calcular o "DTC" dos grupos utilizando o método de cálculo para múltiplos "EC" que não partilham memória.

Anmerkung 2:"Rechenelemente""CEs" haben einen gemeinsamen Speicher, falls sie zu mindestens einem gemeinsamen Segment eines Halbleiterspeichers zugreifen können. [EU] Nota 2: Os "EC" partilham memória caso acedam a um segmento comum de memória de estado sólido.

Anmerkung 5: Eine Aggregation der "CTP"-Werte ist vorzunehmen bei mehreren "Rechenelementen""CEs", wenn diese besonders konstruiert sind, um die Rechenleistung durch Zusammenschaltung zu erhöhen, sie gleichzeitig arbeiten und gemeinsamen Speicher besitzen. [EU] Nota 5: Devem ser agregados os valores do "DTC" de múltiplos "EC" especialmente concebidos para melhorar o desempenho através de agregação, funcionando em simultâneo e partilhando memória, ou de combinações de múltiplos "EC"/memória funcionando simultaneamente por meio de equipamento de concepção especial.

Anmerkung: Der interne Speicher kann durch einen externen Speicher erweitert werden. [EU] A memória interna pode ser reforçada por uma memória externa.

Anmerkung: Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Nummer 3A001erfasst sind. [EU] Nota: 3B001.h. não abrange as máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de fase concebidas para o fabrico de elementos de memória não abrangidos por 3A001.

Anmerkung: Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Unternummer 3A001erfasst sind. [EU] Nota: 3B001.h. não abrange as máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de fase concebidas para o fabrico de elementos de memória não abrangidos por 3A001.

Anpassungsniveau für Speicher erreicht: 8 ergibt eine Anpassung von 1,6 kWh (4 ·; 0,4 kWh). [EU] Corresponde ao nível de ajustamento da memória: 8 fornece um ajustamento de 1,6 kWh (4 ·; 0, 4 kWh).

Arbeitsspeichermedien [EU] Meios de armazenamento de memória

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