bipolares : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

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	Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. [EU]	Nota:3E003.b. não abrange a tecnologia para transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de hetero-junção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz.
	besonders konstruiert für eine der folgenden Eigenschaften: [EU]	Dispositivos microelectrónicos de vácuo; b. Dispositivos de semicondutores com hétero-estrutura como transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT), transístores hétero-bipolares (HBT), e dispositivos de poços quânticos ou de super-redes; Nota: 3E003.b. não abrange a tecnologia para transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de hetero-junção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz. c. Dispositivos electrónicos "supercondutores";
	Bipolare Darlington- oder Hochfrequenztransistoren (HF-Transistoren) [EU]	Transístores Darlington bipolares ou de radiofrequência (RF)
	Bipolare Sperrschicht-Transistoren (BJT) [EU]	Transístores bipolares de junção (BJT)
	Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT) [EU]	Transístores bipolares de porta isolada (IGBT)
	BJTs (Bipolar Junction Transistors) [EU]	Transístores bipolares de junção (BJTs)
	Global positioning system (Globales Positionierungssystem) [EU]	Hetero-bipolar transistors (transístores hétero-bipolares)
	Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices [EU]	Dispositivos de semicondutores com hétero-estrutura como transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT), transístores hétero-bipolares (HBT), e dispositivos de poços quânticos ou de super-redes
	Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices [EU]	Dispositivos de semicondutores com hétero-estrutura como transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT), transístores hétero-bipolares (HBT), e dispositivos de poços quânticos ou de super-redes
	Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) [EU]	Transístores hétero-bipolares
	IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) [EU]	Transístores bipolares de porta isolada (IGBT)
	Statischer Umwandler mit einem Leistungsschalter mit Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs), in einem Gehäuse, zur Verwendung beim Herstellen von Mikrowellengeräten der Unterposition 85165000 [EU]	Conversor estático que inclui um circuito de comutação de potência com transistores bipolares de grelha isolada (IGBTs), contido num invólucro, destinado ao fabrico de fornos de microondas da subposição 85165000 [1]
	Stromrichter mit einem Leistungsschalter mit Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs), in einem Gehäuse, zur Verwendung beim Herstellen von Mikrowellengeräten der Unterposition 85165000 [EU]	Conversor estático que inclui um circuito de comutação de potência com transistores bipolares de grelha isolada (IGBTs), contido num invólucro, destinado ao fabrico de fornos de microondas da subposição 85165000 [1]
	Stromrichter mit einem Leistungsschalter mit Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs), in einem Gehäuse, zur Verwendung beim Herstellen von Mikrowellengeräten der Unterposition 85165000 [EU]	Conversor estático que inclui um circuito de comutação de potência com transístores bipolares de grelha isolada (IGBTs), contido num invólucro, destinado ao fabrico de fornos de microondas da subposição 85165000 [1]
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