Cmos : Dictionary / Wörterbuch (BEOLINGUS, TU Chemnitz)

7 results for Cmos

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Gender of German nouns:
{m} = der, {f} = die, {n} = das, {pl} = die

	German	Portuguese
	Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird ein endgültiger Ausgleichszoll eingeführt. [EU]	É instituído um direito de compensação definitivo sobre as importações de certos microcircuitos electrónicos conhecidos por DRAM (memórias dinâmicas de acesso aleatório) fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc., originários da República da Coreia.
	Der mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 eingeführte Ausgleichszoll auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten, Varianten, Zugriffsgeschwindigkeiten, Konfigurationen, Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird mit Wirkung vom 31. Dezember 2007 aufgehoben, und das Verfahren wird eingestellt. [EU]	O direito de compensação sobre as importações de certos microcircuitos electrónicos conhecidos por DRAM (memórias dinâmicas de acesso aleatório) fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc., originários da República da Coreia, instituído pelo Regulamento (CE) n.o 1480/2003, é revogado a partir de 31 de Dezembro de 2007 e encerrado o processo.
	einem ladungsgekoppelten (CCD) Einzelsensorelement oder einem CMOS-Sensor [EU]	um único sensor constituído por um dispositivo de acoplamento por carga (CCD) ou um sensor constituído por um dispositivo semicondutor de óxido metálico complementar (CMOS)
	Flächen-Bildsensor ("progressive scan" Interline CCD-Sensor oder CMOS-Sensor) für digitale Videokameras in Form einer analogen oder digitalen, monolithischen integrierten Schaltung mit Pixeln, die jeweils eine Fläche von nicht mehr als 12 μ;m × 12 μ;m aufweisen, monochrom mit Mikrolinsen an jedem einzelnen Pixel (Mikrolinsen-Array) oder polychrom mit einem Farbfilter, auch mit einer auf jedem Pixel aufgebrachten Mikrolinse [EU]	Sensor de imagem matricial (sensor CCD com transferência de carga em interlinha de varrimento progressivo ou sensor CMOS) para câmaras de vídeo digitais, sob a forma de um circuito integrado monolítico analógico ou digital, com píxeis de superfície não superior a 12 μ;m × 12 μ;m na versão monocromática com microlentes aplicadas em cada píxel (rede de microlentes) ou em versão policromática com um filtro de cor, também com uma rede de microlentes, cada uma das quais montada num píxel
	Geräte mit komplementären Metall-Oxid-Halbleitern (CMOS), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication). [EU]	Dispositivos de semicondutores de óxido metálico complementar (CMOS) não concebidos ou modificados para obter 'multiplicação de carga'.
	In Artikel 1 Absatz 1 der ursprünglichen Verordnung wird auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen (so genannter DRAMs), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, mit Ursprung in der Republik Korea ein Ausgleichszoll eingeführt, der für alle Warentypen, unabhängig von Speicherdichte, Zugriffsgeschwindigkeit, Konfiguration, Gehäuse, Rahmen usw. gilt. [EU]	O n.o 1 do artigo 1.o do regulamento inicial estabelece que os produtos em causa sujeitos ao direito de compensação são certos microcircuitos electrónicos conhecidos por DRAM de todos os tipos, originários da República da Coreia, independentemente da densidade, velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc. Além disso, é igualmente mencionado o processo de fabricação [variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS)].
	mit einem ladungsgekoppelten (CCD) Einzelsensorelement oder einem CMOS-Sensor [EU]	com um único dispositivo de acoplamento por carga (CCD) ou sensor complementar semicondutor de óxidos metálicos (CMOS),
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