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andere "III/V-Verbindungshalbleiter"-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W [EU] Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W

Anmerkung: Unternummer 6A002a2a3c gilt nicht für Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU] Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.

Anmerkung: Unternummer 6A002a2b3 erfasst keine Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU] Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.

Anmerkung:Unternummer 6A002a2a3c erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. [EU] Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.

Anmerkung:Unternummer 6A002a2b3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 15 mA/W. [EU] Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 mA/W or less.

Ansprech "zeitkonstante" kleiner als 0,5 ns oder [EU] Specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;

besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm und [EU] specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and [listen]

besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W [EU] specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W

durch die Konstruktion begrenzte, maximale Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: [EU] limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:

"Focal-Plane-Arrays", besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: [EU] "focal plane arrays" specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following: 1. incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and 2. any of the following: a. the response limiting mechanism is integral to or combined with the detector element; or b. the "focal plane array" is only operable with the response limiting mechanism in place.

"Focal-Plane-Arrays", besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: [EU] "Focal plane arrays" specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:

Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 15 mA/W [EU] "III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W

Herstellungsausrüstung für die Kathodenzerstäubungs-(Sputter-)Beschichtung, geeignet für Stromdichten von 0,1 mA/mm2 oder höher bei einer Beschichtungsrate größer/gleich 15 µm/h [EU] Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μ;m/h or more

kleiner/gleich 10 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer 400 nm und kleiner/gleich 1050 nm oder [EU] 10 mA/W or less. at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm; or [listen]

kleiner/gleich 15 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer 1050 nm und kleiner/gleich 1800 nm. [EU] 15 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm.

(Seriennummer derjenigen Meldung im laufenden Jahr, für die eine Antwortmeldung übermittelt wird) [EU] //SR//AD/XEU//FR/NOR//RN/5//RD/20051004//RT/1320//SQ/1//TM/COE//RC/IRCS//TN/1//NA/VESSEL NAME EXAMPLE//IR/NOR//XR/PO 12345//LT/+65.321//LG/-21.123//RA/04A.//OB/COD 100 HAD 300//DA/20051004//TI/1315//MA/CAPTAIN NAME EXAMPLE//ER// The Flag State will receive a 'return message' specifying: SR m

"speicherprogrammierbare" Herstellungsausrüstung für die Kathodenzerstäubungs-(Sputter-) Beschichtung, geeignet für Stromdichten von 0,1 mA/mm2 oder höher bei einer Beschichtungsrate größer/gleich 15 μ;m/h [EU] "Stored programme controlled" sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μ;m/h or more

Stromdichte für Kopf und Rumpf J (mA/m2) (Effektivwert) [EU] Current density for head and trunk J (mA/m2) (rms)

The example sentences [G] were kindly provided by the Goethe Institute.
Sentences marked by [EU] derived from DGT Multilingual Translation Memory. The European Commission retains ownership of the copyright in the original data.
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